Integrált áramkörök technológiai fejlődése

A digitális integrált áramkörök technológiai és áramköri fejlesztésében a 80-as évtizedben terjedt el a térvezérelt tranzisztorok (FET) szélesebb körű alkalmazása. A digitális áramkörcsaládok kialakításban szigetelt vezérlőelektródájú MOS-FET (Metal Oxide Semiconductor-Field Effect Transistor), vagy röviden MOS tranzisztorokat használnak. Ezekben az áramkörökben nagy elemürüség érhető el, mert egy MOS tranzisztor helyigénye lényegesen kisebb, mint a bipoláris tranzisztoré.

A MOS integrált áramkör bemeneti ellenállása közel végtelen, ezért nagy egyenáramú (dc) fan-out érhető el. Gyakorlatilag a fan-out értékét csak a működési sebesség korlátozza. A működési sebesség általában alacsonyabb, mint a bipoláris tranzisztorokból kialakított IC-ké. (Mai áramkörök már elérik a TTL sebességét). Ez alapvetően abból adódik, hogy a MOS - elemek nagy impedanciája mellett a szórt és terhelő kapacitások hatása számottevőbb.